辣個分析師 每集筆記

本集主題

CoPoS、玻璃基板技術及其供應鏈（延伸摩爾定律的關鍵）

核心論點

• 看到什麼：

  1. AI晶片尺寸與HBM綁定數量不斷增加（從四到六顆變八顆），現有CoWoS技術面臨物理極限：12吋圓形矽晶圓切割方形矽中介層，導致土地（面積）利用率低、邊角料浪費、成本高，且尺寸受限無法做大；不同材料（晶片、矽中介層、塑膠載板）熱膨脹係數（CTE）差異大，在高溫高速運轉下產生嚴重翹曲（warpage，洋芋片效應），導致晶片微小接點斷裂報銷。
  2. 過去被市場低估的0到1技術驗證期（如矽光子概念股：聯亞、波若威、上詮在無EPS時股價噴發），是資產翻倍的真正機會；當利多見報、EPS與營收創新高時，往往是大戶出貨時機。

• 判斷邏輯：

  1. 為了解決CoWoS的尺寸與翹曲問題，半導體業界提出CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）技術，其中「玻璃基板（Glass Substrate）」被Intel稱為能延續摩爾定律到2030年後的終極武器。
  2. 玻璃基板的五大優勢：
     • 無限擴張的建地：可支援超大尺寸（如620x750mm，是12吋晶圓的6.6倍），可蓋無限大的超級豪宅。
     • 跑車的高速公路：介電常數低，訊號損耗極低，傳輸速度快，干擾小。
     • 平靜如水：可透過配方調整，使其熱膨脹係數與AI晶片一致，超低翹曲。
     • 支援高密度整合：表面平滑，可畫出更多更密的微小線路。
     • 高可靠度與穩定性：不怕水，化學性質穩定，不易損壞。
  3. 玻璃基板的四大致命缺點（需克服的挑戰）：
     • 像保溫瓶：散熱能力超差（導熱能力遠低於矽80-100倍），熱量易被悶住，需昂貴複雜的散熱技術。
     • 易碎的玻璃心：在搬運、鑽孔等製程中易裂開。
     • 線寬線距還不夠細：目前玻璃線寬約2微米，仍輸於矽的0.4微米。
     • 生態系未成熟：全新戰場，材料、設備、檢測儀器均需重新開發，初期成本高。
  4. 玻璃基板的三種應用玩法：
     • 玻璃載板（臨時載板）：像烤蛋糕的烤盤，為封裝過程中的「工具人」，施工完畢即移除。台積電目前CoPoS的做法是將臨時載板從12吋矽晶圓改為310x310mm或600x600mm的方形玻璃，以提高面積使用效率（40-50%提升至80-90%），降低成本。
     • 玻璃核心基板（Glass Core Substrate）：取代ABF載板中間的有機塑膠芯。可做到更細的線寬線距（2微米），更高的Bump密度，更少翹曲，更佳的高速傳輸。Intel已研究十餘年，目標2030年延續摩爾定律。
     • 玻璃中介層（Glass Interposer）：直接取代台積電CoWoS中的矽中介層，被稱為「Glass CoWoS」終極大魔王。優勢為訊號不塞車、可無限大、不彎曲破裂、頻率越高損耗越小、易控制訊號阻抗，對矽光子時代非常重要。
  5. 核心技術挑戰：TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）。玻璃本質是絕緣體，要讓電流穿透，需在玻璃上鑽出千萬個比頭髮細的微孔，並灌滿銅線。TGV的鑽孔與填銅良率是玻璃基板能否順利量產的最大生死關卡。TGV包含六大關卡：鑽孔、濕蝕刻（修孔）、AOI檢測、種子層、鍍銅填孔、完成TGV。
  6. 產業發展時程總覽：
     • 2024-2025年：概念驗證期（實驗室測試，良率提升）。
     • 2026年：驗證元年（客戶小量試產，機器設備開始實質搬入工廠）。
     • 2027-2028年：導入放量期（Intel主推的玻璃核心基板開始大放量，成本下降）。
     • 2029-2030年後：大規模應用期（終極大魔王Glass CoWoS正式接管高階AI封裝，產業規模爆發）。

• 操作方向：

  1. 2026年是驗證元年，投資重點應放在能掌握TGV技術、且開始出貨的「設備廠」。
  2. 2027年後可關注「基板廠」的導入與放量情況。
  3. 2029年後期待「Glass CoWoS」的降臨。
  4. 在台股高檔輪動階段，應提早將部分資金佈局到這些未來2-3年可能爆發、處於0到1階段的大趨勢產業，如目前的玻璃基板供應鏈，等待國際大廠訂單敲定，市場將給予較高本夢比。

個股分析

產業/總體背景

• AI晶片持續發展，對先進封裝技術（如CoWoS）提出更高要求，導致現有技術面臨物理瓶頸。玻璃基板被視為解決這些瓶頸的關鍵。
• 在半導體產業中，0到1的技術驗證期是捕捉巨大投資機會的時刻，即使公司初期財報尚未完全反映，國際大廠（如NVIDIA投資康寧、Intel主推玻璃基板）的投入和技術認證進程，是判斷潛力的重要指標。
• 地緣政治（去中化，China+1）趨勢，使得具備奈米級加工能力的台灣廠商（如正達）在供應鏈中變得稀缺和重要。

語錄

• Vic：「當這個連路邊買菜阿嬤都看得懂基本面的時候，股價早就已經到天花板了。真正能夠讓你資產翻倍、甚至翻幾倍的機會，永遠都藏在0到1這個技術驗證期，也就是大家其實還聽不懂、看不懂、財報也還沒有反映出來的時候。」 → 學習點：提醒投資者在市場熱潮追高前，應關注具備潛力但尚未被廣泛認可的早期技術，這才是獲取超額收益的關鍵。

• Vic：「2026年是炒設備，2027年我覺得就要看基板的導入，到了29年會等大魔王的降臨。」 → 學習點：明確指出投資玻璃基板產業應依據產業發展階段調整策略，不同時期有不同的投資重點。

待查

• CPO (Co-Packaged Optics)：共同封裝光學元件。
• CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate)：台積電的先進封裝技術，將多個晶片（CPU、GPU、HBM）堆疊在矽中介層（interposer）上，再封裝到基板上。
• CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate)：一種先進封裝技術，其中的Panel可能是臨時載板或最終核心基板，玻璃是其中一種潛力材料。
• Glass Substrate (玻璃基板)：用於半導體封裝的玻璃材料，具備多種優勢，被視為CoWoS後續技術的發展方向。
• Silicon Interposer (矽中介層)：CoWoS技術中連結晶片與記憶體的「地基」，由矽晶圓切割而成。
• HBM (High Bandwidth Memory)：高頻寬記憶體，常與AI晶片一同封裝。
• CTE (Coefficient of Thermal Expansion)：熱膨脹係數，材料受熱膨脹的程度。
• Warpage (翹曲)：材料因熱膨脹不均勻而彎曲變形。
• FOPLP (Fan-Out Panel Level Packaging)：扇出型面板級封裝。
• ABF Substrate (ABF載板)：一種IC載板，其中ABF（Ajinomoto Build-up Film）是介電材料。
• TGV (Through Glass Via)：玻璃通孔，透過雷射鑽孔和銅填充，使玻璃基板具備導電能力。
• µm (Micrometer)：微米，長度單位。
• AOI (Automated Optical Inspection)：自動光學檢測。
• RDL (Redistribution Layer)：重佈線層，用於調整晶片接點位置。
• ICP (Inductively Coupled Plasma)：電感耦合電漿，一種用於蝕刻的技術，此處指TGV-ICP為銅柱玻璃通孔基板技術。
• HPC/AI (High-Performance Computing/Artificial Intelligence)：高效能運算/人工智慧。